半导体激光器资深研发工程师

岗位职责：

1.主导或深度参与25GbpsDFB激光器、1577nmEML激光器及100Gbps（或更高）EML激光器芯片的设计工作，涵盖光、电、热仿真与优化，涉及有源区、光栅、波导、电极及封装热力学等核心结构设计。

2.参与或主导关键工艺模块的研发与改进，包括MOCVD外延生长、光栅制备、选区生长/对接耦合、脊波导刻蚀、钝化处理、电极成型等，提升工艺稳定性与产品良率。

3.负责流片计划的制定（RunCard），协调并管理外部代工流程，确保设计准确转化为可制造方案。

4.制定并实施芯片级（Bar/Die）和器件级（TO/CAN/BOX）测试方案，涵盖直流特性、高频性能（S参数、眼图、误码率BER）、光谱表现及可靠性评估，深入分析数据以识别性能瓶颈与失效机制。

5.基于测试与失效分析结果，推动设计迭代与工艺优化，持续提升关键指标如斜率效率、阈值电流、带宽、消光比、眼图质量、可靠性和良率。

6.开展加速老化试验（HTOL、HTRB等），分析失效模式，构建可靠性模型，保障产品满足长期使用要求。

7.编写完整的技术文档，包括设计报告、工艺规范、测试记录、失效分析报告以及专利材料。

8.与工艺、封装、测试、产品工程及生产团队密切配合，推进研发成果向量产转化。

9.跟踪高速半导体激光器领域的最新技术进展，关注新材料、新结构与先进工艺的发展趋势。

任职要求（硬性条件）：

1.硕士及以上学位，专业方向为半导体物理与器件、光电子学、微电子、材料科学与工程、应用物理等相关领域。

2.工作经验（必须满足）：

-硕士学历者需具备至少3年及以上在半导体激光器（特别是DFB或EML）研发岗位的全职经历；

-博士学历者需具备至少2年及以上相关领域的全职研发经验。

3.核心经验要求（必须满足）：

-在以下任一方向具有可验证的成功项目经验（含设计、流片、性能达标或优化）：

*25Gbps或更高速率DFB激光器芯片

*1577nm波段EML激光器芯片

*100Gbps（4x25G,1x100G）或更高速度EML激光器芯片

-深入掌握DFB/EML激光器的工作机理、关键参数、设计难点及制造流程；

-具备从设计、仿真、流片到测试、分析、问题解决和性能优化的全流程项目实践经验；

-熟悉常用表征方法（LIV、光谱、RIN、带宽、眼图、BER）并具备扎实的数据解读能力；

-具备基本的失效分析（FA）能力和可靠性评估背景。

4.专业技能要求：

-熟练使用至少一种光电器件仿真工具（如LumericalFDTD/MODE/INTERCONNECT、CrosslightPICS3D、SynopsysSentaurusTCAD等）；

-熟练运用EDA软件进行版图设计（如L-Edit、KLayout等）；

-具备良好的数据分析能力，能使用Python、MATLAB、JMP、OriginLab等工具；

-熟悉MOCVD外延、光刻、刻蚀、薄膜沉积、解理与镀膜等半导体工艺原理；

-了解高速光器件封装技术及其对性能的影响。

5.语言能力：具备良好的中英文读写能力，能够阅读和撰写专业技术文档。

优先考虑：

1.曾在行业领先企业（如Lumentum、II-VI/Finisar、Broadcom、联亚光电、源杰科技、长光华芯、仕佳光子等）从事DFB/EML芯片研发并取得实际成果者；

2.具备O波段（尤其是1577nm）或C/L波段EML激光器设计与流片经验；

3.拥有高带宽（＞28GHz）激光器的设计实践；

4.具备低功耗、高线性度激光器开发经验；

5.有硅光集成光源或CPO相关光源的研究背景；

6.拥有本领域发明专利者优先。

个人素质：

1.具备出色的逻辑思维与复杂技术问题解决能力；

2.责任心强，自我驱动，能在高强度环境下高效推进工作；

3.沟通表达清晰，具备良好的团队协作意识；

4.热爱技术创新，具备批判性思维与严谨的科研态度；

5.注重细节，追求技术极致与工作品质。

我们提供：

1.具有市场竞争力的薪酬待遇（薪资+奖金+股票期权/激励）；

2.参与前沿光电子技术研发与产品创新的机会；

3.完善的技术成长体系与职业晋升通道；

4.开放协作、鼓励创新的工作环境；

5.健全的福利保障制度。