高级光电芯片研发工程师

1.高速EML芯片设计与仿真：主导10G1577nm、25G、50G、100G及更高速率EML芯片的器件结构设计，开展光学与电学性能仿真优化。熟练运用专业仿真工具对DFB激光器和电吸收调制器进行建模分析，确保关键指标达标。负责芯片版图的设计与迭代，综合考虑工艺偏差、热管理、高频响应及长期可靠性因素。

2.工艺协同与流程优化：与制造团队深度协作，参与外延生长、光刻、刻蚀、薄膜沉积等核心工艺环节的定义与改进。准确评估工艺波动对器件性能的影响，提出可实施的设计补偿或工艺调整方案，提升产品一致性与良率。

3.流片执行与性能验证：统筹EML芯片流片项目，制定并推进流片计划，全程管控流片进度与质量。主导测试策略制定、数据解读及功能验证工作，确保实际性能符合设计预期。针对流片异常开展失效分析，推动设计或工艺层面的闭环优化。

4.量产转化与技术支持：推动研发成果向规模化生产落地，协助解决量产中出现的技术瓶颈，持续提升成品率与稳定性。为封装、测试及系统应用环节提供技术支撑，协助排查并解决芯片在模块集成中的实际问题。规范输出设计文档、测试报告及相关技术标准文件。

5.前沿探索与创新研发：密切关注高速光通信芯片领域（特别是EML及其衍生技术）的技术动态与发展动向。积极参与或牵头新结构、新材料、新工艺的预研项目，保持技术前瞻性。参与知识产权规划，承担专利撰写与技术布局相关工作。

任职要求（必备与优先条件）

1.学历背景：微电子、光电子、半导体物理、光学工程、电子工程等相关专业硕士及以上学位，拥有博士学位者优先考虑。

2.实践经验：具备5年以上光电器件芯片设计、工艺整合或相关研发工作经验。须至少具备以下任一成功案例：完成10GbpsEML芯片（如1577nm波长）从设计到流片验证的全流程；或主导/参与25Gbps及以上速率（如50G、100G）EML芯片的设计、流片及性能验证并取得成果。

3.技术技能：熟练掌握至少一种主流光电仿真软件（如COMSOLMultiphysics、CrosslightPICS3D、SynopsysRSoft等）。熟悉芯片版图设计工具操作流程。了解典型光电器件测试方法（包括LIV特性、光谱响应、小信号带宽、眼图分析等）及相关仪器使用。具备完整的晶圆代工流片经验。具有扎实的数据分析与问题定位能力，能基于实验结果开展失效归因并指导设计优化。具备良好的跨职能沟通能力，能够高效协同工艺、封装、测试及产品团队推进项目进展。