SiC芯片CVD工艺工程师

岗位职责： 1、开展SiC芯片CVD薄膜沉积工艺的研发工作，完成工艺参数调试、量产导入及持续优化，确保产品良率与生产稳定性。 2、牵头推进SiC芯片新型工艺与薄膜结构的验证与试产，提升效率、降低成本，优化产线产能利用率。 3、负责工艺数据的收集、整理与分析，运用SPC手段监控制程稳定性，及时识别异常波动，完成问题溯源与闭环改善，并输出相关工艺总结与优化方案。 4、编写及维护CVD工艺作业指导文件，推动标准化流程实施，协同各职能部门落实量产规范化运作。 任职要求： 1、本科及以上学历，微电子、材料、半导体、集成电路等相关专业背景，具备3-5年SiC芯片CVD工艺量产经验者优先考虑。 2、掌握SiC芯片制造流程及CVD薄膜沉积原理，有SiC MOSFET、SBD等功率器件CVD量产经历者优先。 3、具备较强的數據分析与问题复盘能力，能独立设计工艺实验并推动改进措施落地。 4、了解CVD制程中常见缺陷及失效类型，具有薄膜工艺调优、良率提升、成本控制实际经验，具备芯片可靠性改进经验者优先。 5、工作细致认真，责任心强，具备良好的团队协作精神和抗压能力。