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GaN研发设计工程师

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10年以上硕士电路设计
岗位职责: 1、器件设计:器件仿真、layout设计、spice建模; 2、新技术/器件结构研发; 3、工艺制程整合,关键工艺步骤设计和定义; 4、跟踪分析/解决产品开发及量产过程中异常问题,提升晶圆/封装良率; 任职要求: 1、硕士及以上学历,10年以上工作经验; 2、扎实的半导体物理、器件物理及工艺知识; 3、2年以上GaN功率器件设计和制程开发的工作经验,有量产经验优先,***有GaND-mode的经验; 4、具备使用TCAD/layout工具的能力;

职位总结围绕职位描述,归纳工作内容、招聘要求

认证资质
人力资源服务许可证
黄女士IP:广东广州
3日内活跃|

东莞奥弗人力资源有限公司

·人事经理
工商信息

法定代表人:

周姚姚

成立日期:

2023-11-28

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工作地址
苏州吴中区苏州工业园区
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