外延工程师（射频方向）

岗位职责： 1、负责HBT结构与pHEMT结构外延工艺的开发及性能提升； 2、制定实验计划，验证新型外延工艺与结构的可行性； 3、调整并优化外延生长参数，提升外延层的均匀性与批次稳定性； 4、针对外延相关良率异常进行排查与改善； 5、开展缺陷溯源分析，定位根本原因并推动改进方案落地； 6、持续推进工艺迭代，保障产品良率与一致性符合射频性能规范； 7、为工艺整合团队提供外延技术领域的专业支持； 8、参与整合方案研讨，输出外延工艺相关的技术建议； 9、协同处理跨模块中涉及外延环节的技术问题； 10、编制和更新外延工艺文件，涵盖流程说明与质量控制标准； 11、与设备团队紧密协作，明确工艺需求并提供反馈意见； 12、配合完成工艺相关设备的调试与性能优化工作； 13、参与新进设备的技术评估及工艺匹配性验证； 任职资格： 1、本科及以上学历，材料科学、机械工程或相关专业； 2、具备3-5年半导体制造后段工艺经验，其中至少2年专注于砷化镓射频器件领域； 3、掌握半导体后段工艺原理，熟悉研磨、减薄、键合等关键设备操作与维护； 4、理解砷化镓射频器件工作机理及性能指标要求，掌握常用材料分析与表征方法； 5、具备基础统计分析能力及实验设计方法学知识。