器件研发工程师/成都

岗位职责： 1.负责“功率&射频类分立器件产品”的研发工作（GaN,TVS,MOSFET,PIN DIODE,无源滤波器，RF switch等） 任职要求： 1.微电子器件，半导体物理等对口专业; 2.硕士学历，211以上高校优先; 3.2年及以上专业工作经验（功率器件研发，集成电路工艺设计等）。 技能要求： 1）拥有扎实的半导体物理&微电子器件&集成电路工艺的理论知识。 2）具备SGT MOSFET/SIC MOSFET/GaN HEMT/低容值PIN二极管相关器件开发背景。 3）熟练使用Sentaurus TCAD，Candence Virtuoso等EDA工具。 4）具有一定的脚本能力（Python，Skill，C语言）。