射频集成电路设计工程师

岗位职责 1. 根据指定工艺PDK，开展目标频段射频电路原理图设计： • GaAs方向：L–Ku频段PA/LNA/Switch/混频器设计； • GaN方向：S–Ka频段高功率PA及电源功放模块开发； • InP方向：Ka–E波段LNA、高速CML驱动电路、ADC前端模拟设计； 2. 独立完成射频电路全定制版图布局，确保符合DRC/LVS规范，有效抑制寄生参数与电磁耦合干扰； 3. 协同内部代工产线，参与Tapeout评审，跟进工艺平台技术迭代； 4. 主导晶圆级及封装后测试工作，完成S参数、输出功率、噪声系数、热阻特性、高速眼图等关键性能验证； 5. 对比仿真与实测数据差异，进行失效机理分析并推动设计优化；主导HTOL/THB等可靠性考核流程。 任职资格 1、本科及以上学历，硕士优先考虑；微电子、电磁场与微波技术、电子工程、凝聚态物理、功率电子等相关专业背景； 2、具备3年以上特定材料体系射频/功率器件设计经验： GaAs：具有PA/LNA/Switch全流程流片及量产经历，有L–Ku频段项目经验者优先； GaN：具备大功率PA或固态放大器设计背景，有雷达、微波能源应用经验者优先； InP：具备毫米波至太赫兹频段或100G以上高速模拟电路设计能力，熟悉超低噪声实现技术者优先； 3、熟练掌握ADS、Cadence Virtuoso、HFSS/Momentum/Sonnet等主流EDA工具； 4、扎实掌握相关材料体系的器件物理机制（如pHEMT/HBT/HEMT异质结特性、陷阱效应、热退化现象等）； 5、精通射频链路预算分析，掌握噪声、线性度与效率协同优化方法，具备高速信号完整性分析能力。